本发明涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，然后用10‑40℃的水淬冷，得到氧化物粉体；（2）将氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体按比例混合成混合粉体，混合球磨并造粒，成型后，在氧气氛中烧结，烧结温度1500‑1550℃，保温6‑15小时。该方法采用高温淬火的氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体进行球磨混合，成型后，在氧气氛中低温烧结，得到超高致密度、晶粒细小的ITO靶材，该生产方法简单、适合批量生产。