- 专利标题： 一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法
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申请号： CN201911345170.2申请日： 2019-12-24
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公开(公告)号： CN111129169B公开(公告)日： 2021-06-15
- 发明人: 周建新 , 徐廉鹏 , 何哲
- 申请人： 南京航空航天大学
- 申请人地址： 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- 专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- 代理机构： 江苏圣典律师事务所
- 代理商 贺翔; 杨文晰
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/0264 ; H01L31/028 ; H01L31/032 ; H01L31/101 ; H01L31/18
摘要：
本发明提供一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域，该光电器件结构自下而上依次为厚度为衬底层、绝缘层、二硒化锡层、二硒化钨层、石墨烯层；二硒化锡层和石墨烯层两端分别连接金属电极；本发明光电器件结构简单，无需栅压调控，光响应度及增益高，响应速度快。
公开/授权文献
- CN111129169A 一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法 公开/授权日：2020-05-08
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