本申请公开了一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法，属于半导体材料制备领域。该碳化硅粉料合成炉，其包括炉体、坩埚组件和加热件，坩埚组件置于炉体形成的炉体腔内，其特征在于，坩埚组件包括坩埚和导流件，坩埚设置一级进气孔；导流件设置在坩埚形成的坩埚腔内，导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与二级进气孔连通的多个多孔导流管；进气板将坩埚腔分成缓冲腔和合成腔，原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔，并与合成腔内固体原料反应生成碳化硅粉料。该碳化硅粉料合成炉制得的碳化硅粉料的纯度高、粒度均匀，而且可以调节制得的碳化硅粉料的粒径。