本发明提供一种非易失性存储器及其制作方法，该非易失性存储器中，浮栅结构具有第一尖锐部与第二尖锐部，且浮栅结构的一侧面与浮栅结构的一部分顶面所构成的一拐角未被控制栅结构遮盖，拐角连接于第一尖锐部与第二尖锐部的一端之间，擦除栅结构的隧穿介电层包覆所述第一尖锐部、所述第二尖锐部及所述拐角的尖端部分。在擦除操作时，电子以FN隧穿的方式由浮栅结构的第一尖锐部、第二尖锐部及拐角的尖端注入擦除栅结构，可以显著增强浮栅与擦除栅之间的FN隧穿效应，提高擦除效率。浮栅的尖锐部及未被控制栅结构覆盖的拐角有利于增加擦除栅与浮栅之间的隧穿介质层的厚度，从而避免漏电流的发生，有助于提高数据保持力。