本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层包括刻蚀区和保留区，所述保留区为去除所述刻蚀区后用作刻蚀所述半导体衬底的掩膜的区域；在所述介质层上形成图案化的核心层和覆盖所述介质层和所述核心层的侧墙层，相邻两个所述核心层之间的所述侧墙层形成凹槽；对所述侧墙层执行图形化工艺，以去除位于所述核心层顶部表面和位于所述刻蚀区中的所述凹槽底部的所述侧墙层，以露出所述刻蚀区的第一部分；形成覆盖所述第一部分的介质阻挡层，所述介质阻挡层顶部与所述核心层齐平；去除所述核心层和所述介质阻挡层以露出所述刻蚀区。根据本发明提高了器件性能和良率。