- 专利标题: 一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法
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申请号: CN201911044386.5申请日: 2019-10-30
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公开(公告)号: CN111211179B公开(公告)日: 2023-05-19
- 发明人: 黎剑骑 , 孙涌涛 , 许成德 , 王富强 , 楼诚侃
- 申请人: 横店集团东磁股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市东阳市横店镇工业区
- 专利权人: 横店集团东磁股份有限公司
- 当前专利权人: 横店集团东磁股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市东阳市横店镇工业区
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 巩克栋
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224
摘要:
本发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构,包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜,硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面,背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极,全铝背场上设有铝栅线背场,铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法,包括以下步骤:激光打孔;制绒;扩散;掩膜印刷;刻蚀;退火;镀膜;背面激光开槽;丝网印刷;烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式,在不影响转换效率的同时,降低了Al金属浆料的消耗,极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极,保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。
公开/授权文献
- CN111211179A 一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法 公开/授权日:2020-05-29
IPC分类: