发明公开
- 专利标题: 含碱金属卤化物空穴修饰层的反型钙钛矿太阳能电池及制备方法
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申请号: CN201911200856.2申请日: 2019-11-29
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公开(公告)号: CN111223990A公开(公告)日: 2020-06-02
- 发明人: 胡滔滔 , 于华 , 章文峰
- 申请人: 西南石油大学
- 申请人地址: 四川省成都市新都区新都大道8号
- 专利权人: 西南石油大学
- 当前专利权人: 西南石油大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市新都区新都大道8号
- 代理机构: 西安铭泽知识产权代理事务所
- 代理商 徐云侠
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/46 ; H01L51/48
摘要:
本发明公开了一种含碱金属卤化物空穴修饰层的反型钙钛矿太阳能电池,包括依次层叠设置的导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层以及金属电极,所述空穴传输层所用材料为氧化镍,且所述空穴传输层与所述钙钛矿吸光层之间还设有空穴传输层修饰层,所述空穴传输层修饰层所用材料为碱金属卤化物。本发明还提供了上述含碱金属卤化物空穴修饰层的反型钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明通过增加碱金属卤化物空穴修饰层,增强了氧化镍与钙钛矿层之间的粘合力,减少了氧化镍薄膜表面的针孔、降低了载流子的界面复合损失,从而有效提高了钙钛矿太阳能电池的整体性能。本发明制备钙钛矿太阳能电池的方法简单,成本低,使钙钛矿太阳能电池的性能有较大提升。
IPC分类: