Invention Publication
- Patent Title: 一种超低功耗基准电路及其采样方法
-
Application No.: CN202010094479.5Application Date: 2020-02-16
-
Publication No.: CN111258363APublication Date: 2020-06-09
- Inventor: 刘帘曦 , 云梦晗 , 黄文斌 , 邢奕赫 , 朱樟明
- Applicant: 西安电子科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- Agent 李园园
- Main IPC: G05F1/565
- IPC: G05F1/565 ; H03L5/00
Abstract:
本发明公开了一种超低功耗基准电路及其采样方法,超低功耗基准电路包括:带隙基准模块,用于根据第一时钟输入信号产生第一自启动电压、第二自启动电压、参考基准电压;第一自启动模块,用于根据第一时钟输入信号为带隙基准模块提供第一自启动电压;第二自启动模块,用于根据第一时钟输入信号为带隙基准模块提供第二自启动电压;采样保持模块,用于根据第二时钟输入信号、第三时钟输入信号对参考基准电压进行采样、保持处理得到输出信号。本发明提出的超低功耗基准电路,通过在带隙基准模块外围增加第一自启动模块、第二自启动模块、采样保持模块,使得带隙基准模块间歇性工作,大大降低了基准电路的功耗,同时保持了输出电压的良好稳定性。
Public/Granted literature
- CN111258363B 一种超低功耗基准电路及其采样方法 Public/Granted day:2021-03-19
Information query
IPC分类: