本申请公开了一种高质量n型碳化硅晶体的制备方法，包括下述步骤：(1)组装阶段；(2)加热阶段；(3)长晶阶段：将含有氮源气体和惰性保护气体的混合气体通入到所述长晶炉内，控制所述长晶炉至所需的压力，在所述籽晶上生长n型碳化硅晶体；其中，随着n型碳化硅晶体的长晶面下移，逐渐提高氮源气体在混合气体的体积分数。本申请的制备方法中，通过在长晶过程中不断调控氮源气体的体积分数，逐渐提高氮源气体的分压，可以抵消长晶过程中长晶面温度上升不利于氮的掺杂，有效避免了由于高温掺氮量降低，而使得晶体电阻率不合格和不均匀的问题；且通过逐渐提高长晶压力来优化调控晶体中的掺氮量，有效提高了掺氮的均匀性和稳定性。