发明公开
- 专利标题: 基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法
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申请号: CN201811477328.7申请日: 2018-12-05
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公开(公告)号: CN111272060A公开(公告)日: 2020-06-12
- 发明人: 殷晓康 , 谷悦 , 李振 , 李晨 , 王克凡 , 符嘉明 , 曹松 , 李伟 , 陈国明
- 申请人: 中国石油大学(华东)
- 申请人地址: 山东省青岛市黄岛区长江西路66号
- 专利权人: 中国石油大学(华东)
- 当前专利权人: 中国石油大学(华东)
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市黄岛区长江西路66号
- 主分类号: G01B7/14
- IPC分类号: G01B7/14
摘要:
本发明公开了一种基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化的方法,涉及无损检测信号处理领域,包括:利用一个极板间距为S的探头接收包括非导电材料开口缺陷在内的输入单对电极电容成像连续n个位置处的检测信号电压值Un,对所述n个点求检测信号电压值对检测位置Xn的导数ΔUn=(Un+1-Un)/(Xn+1-Xn),并绘制所述检测信号电压值导数ΔUn关于检测位置Xn的曲线;获取检测信号导数ΔUn关于检测位置Xn的导数曲线的最大值点Xmax点和最小值点Xmin,最大值点与最小值点之间的距离为L=|Xmax-Xmin|,非导电材料开口缺陷宽度方向的尺寸为D=L-S。本发明通过对单对电极电容成像检测信号进行求导处理,进一步实现对非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸进行量化。
公开/授权文献
- CN111272060B 基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法 公开/授权日:2021-08-31