本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种可实现前向布里渊散射的硫化物‑氮化硅悬空波导设计及其制备方法。硫化物‑氮化硅悬空波导，自下而上依次是硅衬底、氧化硅层、氮化硅薄膜层、硫化物薄膜层；其中波导下面的氧化硅层部分腐蚀，呈现悬空结构。本发明提出了一种可实现前向布里渊散射的硫化物‑氮化硅悬空波导结构，氮化硅结构的引入起到了支撑硫系薄膜的作用，克服了硫化物质软，难以实现悬空的难点，同时氮化硅与硫化物相比，折射率较小，声学声速性质相差较大，有利于实现对光场和横向声场的同时局限，仿真得到的前向布里渊增益系数为1415m‑1W‑1，证明了该结构可以用来实现前向受激布里渊散射以及光机械等应用的可能性。