- 专利标题: 一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统
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申请号: CN202010053933.2申请日: 2020-01-17
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公开(公告)号: CN111273864B公开(公告)日: 2023-08-08
- 发明人: 张瑞金 , 刘强 , 孙志正
- 申请人: 山东浪潮科学研究院有限公司
- 申请人地址: 山东省济南市高新区浪潮路1036号S02号楼
- 专利权人: 山东浪潮科学研究院有限公司
- 当前专利权人: 山东浪潮科学研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省济南市高新区浪潮路1036号S02号楼
- 代理机构: 北京君慧知识产权代理事务所
- 代理商 董延丽
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06
摘要:
本申请公开了一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法及系统,能够获取电子设备的外部电源的工作状态;在所述外部电源的工作状态为断电状态下,确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据,与所述电子设备的NAND FLASH中的配置数据是否一致;在所述临时存储介质中的配置数据与所述NAND FLASH中的配置数据不一致的情况下,所述主控模块将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH。基于上述技术方案,可以合理的减少NANDFLASH的擦写次数,延长电子设备的使用寿命。
公开/授权文献
- CN111273864A 一种减少NAND FLASH擦写次数的方法及系统 公开/授权日:2020-06-12