Invention Grant
- Patent Title: 新型3D NAND存储器件及其形成方法
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Application No.: CN202010103862.2Application Date: 2018-12-07
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Publication No.: CN111276486BPublication Date: 2021-03-12
- Inventor: 宋雅丽 , 肖莉红 , 王明
- Applicant: 长江存储科技有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Agency: 北京永新同创知识产权代理有限公司
- Agent 张殿慧; 刘健
- Main IPC: H01L27/11551
- IPC: H01L27/11551 ; H01L27/1158
Abstract:
提供了一种3D‑NAND存储器件及其形成方法。该存储器件包括衬底、设置于衬底上方的底部选择栅极(BSG)、位于BSG上方并且具有阶梯配置的多条字线，以及设置于衬底、BSG和多条字线之间的多个绝缘层。在公开的存储器件中，一个或多个第一电介质沟槽形成于BSG中并且沿衬底的长度方向延伸，以将BSG分隔成多个子BSG。此外，一个或多个公共源极区形成于衬底上方并且在衬底的长度方向上延伸。一个或多个公共源极区还延伸穿过BSG、多条字线和多个绝缘层。
Public/Granted literature
- CN111276486A 新型3D NAND存储器件及其形成方法 Public/Granted day:2020-06-12
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IPC分类:
