本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。