- 专利标题: 二维碳化物晶体MXene基氧化铁负极材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202010132194.6申请日: 2020-02-29
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公开(公告)号: CN111333119A公开(公告)日: 2020-06-26
- 发明人: 黄燕山 , 孔玥 , 马健 , 李原婷 , 宣晓东 , 鲍文文 , 丛海山 , 李学剑 , 唐佳斌 , 韩生 , 王敬均 , 张朵 , 徐家豪 , 彭好问
- 申请人: 上海应用技术大学
- 申请人地址: 上海市奉贤区海泉路100号
- 专利权人: 上海应用技术大学
- 当前专利权人: 上海应用技术大学
- 当前专利权人地址: 上海市奉贤区海泉路100号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 顾艳哲
- 主分类号: C01G49/06
- IPC分类号: C01G49/06 ; C01B32/914 ; H01M4/52 ; H01M4/587 ; H01M4/62 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及一种二维碳化物晶体MXene基氧化铁负极材料及其制备方法和应用,该方法为,将铁盐溶于去离子水中,得到铁盐溶液,将MXene水溶液加入到铁盐溶液中,磁力搅拌并超声后,在70-90℃温度下,进行水热反应10-14小时,反应后得到产物,经去离子水反复冲洗,最后真空烘干,即得到二维碳化物晶体MXene基氧化铁负极材料。与现有技术相比,本发明制备出的二维碳化物晶体MXene基氧化铁负极材料在100mA·g-1的充放电流下,容量可达到800mAh·g-1,而且4000次循环后依然可以稳定的恢复到初始容量,故具有高的可逆容量,非常好的循环稳定性并且绿色可持续,在锂离子电池领域具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN111333119B 二维碳化物晶体MXene基氧化铁负极材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2022-10-14
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