本发明涉及一种低导通电阻的异质结半导体器件，包括：金属漏电极，衬底，缓冲层，缓冲层内设有电流阻挡层，在缓冲层上设有栅极结构，所述栅极结构包括金属栅电极，GaN柱，AlGaN层，所述金属栅电极上方设有金属源电极，所述电流阻挡层包括多级电流阻挡层且各层的对称中心共线，各级电流阻挡层环形内口自上而下逐级减小，有效限制了峰值电场并使其远离沟道，保证了器件耐压能力，同时减少了电流损失，AlGaN层和GaN柱在缓冲层上方呈蜂窝状分布，产生多段沟道电流，有效提高了电流能力，使得器件在导通时获得更高的开态电流，从而降低了器件的导通电阻。