发明授权
- 专利标题: 一种量子点发光二极管及其制备方法
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申请号: CN201811647838.4申请日: 2018-12-29
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公开(公告)号: CN111384280B公开(公告)日: 2021-05-18
- 发明人: 聂志文 , 杨一行
- 申请人: TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构: 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 王永文; 刘文求
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/56
摘要:
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括设置在阳极和量子点发光层之间的功能层,所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元,所述功能结构单元由层叠设置的空穴传输层和电子阻挡材料层组成,所述功能结构单元中的空穴传输层靠近阳极设置,所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置,所述n为大于等于2的整数,且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中,靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的HOMO能级大于靠近阳极的电子阻挡材料层材料的HOMO能级。本发明通过所述功能层的设置能够提升空穴传输至量子点发光层的传输速率,从而平衡电子和空穴的注入速率,以提高载流子在量子点层中的复合效率,进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。
公开/授权文献
- CN111384280A 一种量子点发光二极管及其制备方法 公开/授权日:2020-07-07
IPC分类: