发明授权
- 专利标题: 一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法
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申请号: CN202010151640.8申请日: 2020-03-06
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公开(公告)号: CN111403306B公开(公告)日: 2021-10-22
- 发明人: 包杰 , 马丽敏 , 黄策 , 乔振聪 , 刘志锋 , 陈嘉 , 林建伟
- 申请人: 泰州中来光电科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
- 专利权人: 泰州中来光电科技有限公司
- 当前专利权人: 泰州中来光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
- 代理机构: 北京金之桥知识产权代理有限公司
- 代理商 李托弟
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L31/0224
摘要:
本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法,包括:(1)、沿电池片上平行于副栅线的方向,对紧挨着副栅线两侧的钝化接触结构均进行开槽,形成凹槽结构;凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部;(2)、沿电池片上平行于主栅线方向,在含有凹槽结构的区域进行切割,得到测试样品;其中,测试样品中未包含主栅线;(3)、测试测试样品上不同副栅线间距对应的电阻值;(4)、以副栅线之间的间距为横坐标,副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标,绘制散点图,进行线性拟合,得到线性函数的斜率和截距;根据所述线性函数的斜率和截距,以及线传输模型计算出接触电阻率。
公开/授权文献
- CN111403306A 一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法 公开/授权日:2020-07-10
IPC分类: