- 专利标题: 一种镍钴锰氢氧化物纳米片/泡沫镍@氮掺杂碳电极材料的制备方法
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申请号: CN202010156663.8申请日: 2020-03-09
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公开(公告)号: CN111446086B公开(公告)日: 2021-12-21
- 发明人: 王连邦 , 占静 , 赵宜哲 , 苏利伟 , 吴昊 , 林威
- 申请人: 浙江工业大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- 专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人: 浙江工业大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下城区潮王路18号
- 代理机构: 杭州天正专利事务所有限公司
- 代理商 黄美娟; 俞慧
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/30 ; H01G11/24
摘要:
一种镍钴锰氢氧化物纳米片/泡沫镍@氮掺杂碳电极材料的制备方法,按照如下步骤实施:(1)将泡沫镍清洗,烘干;(2)取镍盐、柠檬酸、尿素溶解在去离子水和乙醇的混合溶剂中得到混合溶液A;(3)将处理后的泡沫镍置于混合溶液A中水浴处理,烘干;(4)将处理后的泡沫镍在氩气中焙烧;(5)称取镍、钴、锰的金属盐和尿素溶解在去离子水中得到混合溶液B;(6)将得到的泡沫镍置于混合溶液B中热处理;(7)冷却、洗涤、干燥得到所述电极材料。本发明制备的电极材料提高了金属氢氧化物电极材料的导电性和稳定性,纳米片的片层结构也增加了与电解液的接触面积,该电极材料在电解液中具有较高比容量和优异的循环稳定性。
公开/授权文献
- CN111446086A 一种镍钴锰氢氧化物纳米片/泡沫镍@氮掺杂碳电极材料的制备方法 公开/授权日:2020-07-24