本发明涉及一种碳化硅晶体的生长装置及其制备方法，其中生长装置包括坩埚、安装有籽晶的籽晶座、石墨过滤板、搅拌装置、顶部加热器和底部加热器，籽晶座、石墨过滤板和搅拌装置均位于坩埚内，其中籽晶座固定于坩埚的顶部，且籽晶向下设置，石墨过滤板位于坩埚的中间位置，并将坩埚分为上半部和下半部，搅拌装置位于下半部，顶部加热器和底部加热器均设置于坩埚外；制备方法包括利用该生长装置进行碳化硅晶体生长的步骤。本发明的生长装置及其制备方法制备的碳化硅杂质少、纯度高、不存在包裹物缺陷，且原料利用率高，节约成本。