本发明公开一种真空高压脉冲绝缘结构，包括阳极外筒、阴极及绝缘子，所述阴极通过绝缘子共轴支撑在阳极外筒内，所述阳极外筒内还设置有脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环，所述脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环分别设置于绝缘子两侧，所述脉冲源侧屏蔽环对应脉冲功率源侧设置，所述真空侧屏蔽环对应真空侧设置。本发明的真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能够有效匀化绝缘子附近电场分布并降低三相点电场强度，最终得到较高的绝缘梯度进而大幅缩小真空二极管的横向尺寸，提高系统的轻小型化水平，该种真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能很好地应用于结构紧凑的脉冲功率和高功率微波源系统的真空高压脉冲二极管之中。