本发明的目的在于公开一种TOPCON钝化结构及其制备方法，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；与现有技术相比，通过退火过程生长的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为太阳能电池TOPCon结构的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，提高了TOPCon结构对硅片基体掺杂层的钝化质量，实现本发明的目的。