- 专利标题: 一种提高粉末样品透射电镜原位加热芯片制样成功率的方法
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申请号: CN202010349864.X申请日: 2020-04-28
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公开(公告)号: CN111521623B公开(公告)日: 2023-04-07
- 发明人: 王双宝 , 董泽健 , 韩相彬 , 李伟洲 , 沈培康
- 申请人: 广西大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号
- 专利权人: 广西大学
- 当前专利权人: 广西大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号
- 代理机构: 广西汇佳知识产权代理事务所
- 代理商 林鹏
- 主分类号: G01N23/04
- IPC分类号: G01N23/04 ; G01N23/2005
摘要:
本发明公开了一种提高粉末样品透射电镜原位加热芯片制样成功率的方法,将Si3N4薄膜上团聚有粉末样品的原位加热芯片置于光学显微镜下,找到Si3N4薄膜的孔槽区域,然后在光学显微镜下利用微操作手将棉质纤维的一端缓慢移动到芯片的孔槽区域并与Si3N4薄膜接触;利用微操作手使棉质纤维在Si3N4薄膜上做水平来回摩擦运动,使薄膜脱离的团聚颗粒会自动吸附到纤维上,最终将Si3N4薄膜区域团聚的纳米粉末清除;调节微操作手将与芯片接触的棉质纤维移开,获得可重复利用的原位加热芯片。本发明使用的微操作手结合光学显微镜的方法能够使团聚于Si3N4薄膜的粉末样品被快速精确地移除,操作简单的同时减少了对Si3N4薄膜和芯片电极损坏的风险,有效提高了操作成功率,节省时间。
公开/授权文献
- CN111521623A 一种提高粉末样品透射电镜原位加热芯片制样成功率的方法 公开/授权日:2020-08-11