- 专利标题： β-Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器及其制备方法
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申请号： CN202010315454.3申请日： 2020-04-21
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公开(公告)号： CN111524995B公开(公告)日： 2022-02-15
- 发明人: 杨莲红 , 张保花 , 郭福强
- 申请人： 昌吉学院
- 申请人地址： 新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市世纪大道南段9号
- 专利权人： 昌吉学院
- 当前专利权人： 昌吉学院
- 当前专利权人地址： 新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市世纪大道南段9号
- 代理机构： 江苏斐多律师事务所
- 代理商 张佳妮
- 主分类号： H01L31/105
- IPC分类号： H01L31/105 ; H01L31/0336 ; H01L31/0352 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种β‑Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器，采用β‑Ga2O3/GaN异质结结构。并公开了其制备方法。与传统单色探测器相比，本发明实现了通过施加的不同偏压，在β‑Ga2O3/GaN异质结处形成不同深度的耗尽层，实现了一个器件的两种工作模式，即在较小偏压下，耗尽层为Ga2O3层，器件只对275nm以下日盲波段的光有响应；在较大偏压下，耗尽层延伸到GaN层，光响应延伸到365nm的可见盲波段。
公开/授权文献
- CN111524995A β-Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器及其制备方法 公开/授权日：2020-08-11
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