Invention Grant
- Patent Title: 作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物
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Application No.: CN201880075361.9Application Date: 2018-11-13
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Publication No.: CN111542528BPublication Date: 2023-04-04
- Inventor: 山户齐 , 津田拓哉 , 堂依伊织 , 法比安·尼科尔森
- Applicant: CLAP有限公司
- Applicant Address: 韩国首尔
- Assignee: CLAP有限公司
- Current Assignee: CLAP有限公司
- Current Assignee Address: 韩国首尔
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 陈万青; 李雪
- International Application: PCT/EP2018/081011 2018.11.13
- International Announcement: WO2019/101569 EN 2019.05.31
- Date entered country: 2020-05-21
- Main IPC: C07D495/04
- IPC: C07D495/04 ; H01L29/772 ; H10K85/60
Abstract:
本发明提供一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，该制造工艺包括：步骤i)，将包含至少一个化学式(1A)‑(1B)‑(1C)的化合物的组合物涂布于电子器件的前体上，以形成层；及步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，另外，本发明提供化学式1A、1B或1C的化合物、至少包括化学式1A、1B或1C的化合物的组合物及使用化学式1A、1B及1C的化合物中的至少一种作为有机半导体材料的光裂解前体的用途。
Public/Granted literature
- CN111542528A 作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物 Public/Granted day:2020-08-14
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