发明公开
- 专利标题： 一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料、其制备方法及应用
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申请号： CN202010545438.3申请日： 2020-06-16
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公开(公告)号： CN111559758A公开(公告)日： 2020-08-21
- 发明人: 吴少凡 , 李艳 , 王帅华 , 徐刘伟
- 申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 申请人地址： 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
- 专利权人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人： 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人地址： 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
- 代理机构： 北京元周律知识产权代理有限公司
- 代理商 张莹; 周游
- 优先权： 201911232339.3 2019.12.05 CN
- 主分类号： C01G49/00
- IPC分类号： C01G49/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明提供一种掺杂TmIG铁氧体晶体材料，化学式为Tm3-xCexFe5-yCryO12；其中，0≤x≤0.12，0≤y≤0.3；Ce3+取代晶体材料中Tm3+的格位，Cr3+取代晶体材料中Fe3+的格位。并公开了该晶体材料的制备方法。该制备方法工艺简单，生产周期短，反应过程易于控制，产品的综合磁性能良好，饱和磁化强度相对较高，适合工厂化大批量生产。
IPC分类:
