发明授权
- 专利标题: 一种逆变器共模电磁干扰噪音抑制方法及系统
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申请号: CN202010523138.5申请日: 2020-06-10
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公开(公告)号: CN111564969B公开(公告)日: 2021-05-07
- 发明人: 戴瑜兴 , 彭子舜 , 朱方 , 曾国强 , 张正江 , 闫正兵 , 王环 , 章纯 , 胡文 , 黄世沛
- 申请人: 温州大学
- 申请人地址: 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
- 专利权人: 温州大学
- 当前专利权人: 青岛阳浦智能科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 杜阳阳
- 主分类号: H02M1/44
- IPC分类号: H02M1/44 ; H02M1/12 ; H02M7/5387
摘要:
本发明涉及一种逆变器共模电磁干扰噪音抑制方法及系统,包括:获得负载电流I;将负载电流I与设定电流值I0进行比较;当|I|≤I0时,关断硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件中的碳化硅基MOSFET,采用恒定开关频率的双极性正弦脉宽调制控制硅基IGBT的导通和关断;硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件为硅基IGBT和碳化硅基MOSFET并联的器件;当|I|>I0时,硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件中碳化硅基MOSFET比硅基IGBT先开通后关断,采用变开关频率的单极性正弦脉宽调制控制硅基IGBT/碳化硅基MOSFET混并联器件的导通和关断。本发明在不增加逆变器的损耗及其输出电压/电流谐波的情况下,减少逆变器共模EMI噪音,从而提高逆变器的稳定性和可靠性。
公开/授权文献
- CN111564969A 一种逆变器共模电磁干扰噪音抑制方法及系统 公开/授权日:2020-08-21