- 专利标题： 用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
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申请号： CN201880085472.8申请日： 2018-12-31
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公开(公告)号： CN111566820B公开(公告)日： 2024-02-13
- 发明人: 李忠贤 , 杨振荣 , 鲍如强 , H.贾甘纳坦
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 王蕊瑞
- 优先权： 15/862,930 2018.01.05 US
- 国际申请： PCT/IB2018/060735 2018.12.31
- 国际公布： WO2019/135154 EN 2019.07.11
- 进入国家日期： 2020-07-02
- 主分类号： H01L29/41
- IPC分类号： H01L29/41
摘要：
一种形成半导体结构的方法，包括：形成设置在衬底的顶表面之上的多个鳍；以及使用替换金属栅极(RMG)工艺从该多个鳍形成一个或多个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。围绕VTFET中的给定VTFET的至少一个鳍的栅极包括设置在栅极接触金属层之上的栅极自对准接触(SAC)帽盖层，栅极接触金属层被设置成与至少一个鳍的端部相邻。
公开/授权文献
- CN111566820A 用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺 公开/授权日：2020-08-21
IPC分类:
