发明授权
- 专利标题： 两阶段资源扩展多址(RSMA)设计
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申请号： CN201980007653.3申请日： 2019-01-11
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公开(公告)号： CN111566959B公开(公告)日： 2023-03-28
- 发明人: S·朴 , 雷静 , R·王 , J·B·索里亚加 , 蒋靖 , T·姬 , J·K·森达拉拉扬 , Y·托科佐 , N·布衫
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 汪威; 唐杰敏
- 优先权： 62/616,992 20180112 US 16/244,978 20190110 US
- 国际申请： PCT/US2019/013259 2019.01.11
- 国际公布： WO2019/140239 EN 2019.07.18
- 进入国家日期： 2020-07-08
- 主分类号： H04J13/16
- IPC分类号： H04J13/16 ; H04J11/00
摘要：
提供了两阶段加扰设计，其用于生成和解码资源扩展多址(RSMA)经调制流。用户装备(UE)使用第一加扰序列对数据流集合中的每个数据流进行加扰，以生成第一经加扰数据流集合，并且然后使用第二加扰序列对第一经加扰数据流集合进行加扰，以生成第二经加扰数据流集合，其中第二加扰序列长于第一加扰序列。然后，UE传送第二经加扰数据流集合。接收方基站确定UE所使用的第一和第二加扰序列，并基于所确定的加扰序列来对接收自UE的传输进行解码。
公开/授权文献
- CN111566959A 两阶段资源扩展多址(RSMA)设计 公开/授权日：2020-08-21
