本发明公开了半导体技术领域内的一种改善欧姆接触的方法，包括高温电激励处理步骤，具体如下：将二维半导体晶体管器件温度升高至410‑450K并保持，同时对所述二维半导体晶体管器件中的二维半导体两端电极持续施加电压，随后停止施加电压并将所述二维半导体晶体管器件温度降低至室温。本方法通过在410‑450K温度下对二维半导体持续施加电压的方式改进二维半导体欧姆接触，提高了二维半导体晶体管器件整体性能，同时本方法属于器件制备的后端工艺，具有操作简单、耗时短、可靠性高等优点。