本发明的目的在于公开一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法，与现有技术相比，通过两步掺杂方式，即先对背表面的基体进行一个极浅的掺杂，然后再沉积遂穿氧化层及多晶硅层，最后再对多晶硅层进行掺杂；采用离子注入及磷扩散组合的方式完成背表面的掺杂；有效地解决了现有掺杂技术中由于遂穿氧化层的阻挡作用，使得Si基体表面掺杂浓度总是低于多晶硅层的掺杂浓度，使得在Si基体与遂穿氧化层的界面处聚集的多数载流子相对较少的问题，实现本发明的目的。