Invention Grant
- Patent Title: 封装结构及其形成方法
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Application No.: CN201910137550.0Application Date: 2019-02-25
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Publication No.: CN111613596BPublication Date: 2022-01-14
- Inventor: 刘瑛
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- Agency: 上海知锦知识产权代理事务所
- Agent 汤陈龙; 李丽
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L21/60
Abstract:
一种封装结构及其形成方法,所述封装结构包括:基底,所述基底表面形成有电极,所述基底上形成有图形化的钝化层,所述钝化层中形成有暴露所述电极的窗口;凸块底部金属化层,位于所述窗口露出的电极上,且还覆盖所述窗口侧壁和所述钝化层的部分顶部,所述凸块底部金属化层包括多个分立的子金属化层;导电凸块,覆盖所述凸块底部金属化层。通过将UBM层设置为多个分立的子金属化层结构,从而在导电凸块受到挤压时,使得分立的子金属化层之间的间隙共同分解压力,减小UBM层承受的压力,进而减小钝化层与UBM层的交界处的应力,避免钝化层和/或UBM层出现裂痕造成的器件损伤,提高器件的性能。
Public/Granted literature
- CN111613596A 封装结构及其形成方法 Public/Granted day:2020-09-01
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IPC分类: