Invention Grant
- Patent Title: 一种制备石墨烯纳米带阵列的方法
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Application No.: CN202010673350.XApplication Date: 2020-07-14
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Publication No.: CN111620325BPublication Date: 2021-11-02
- Inventor: 于贵 , 蔡乐
- Applicant: 中国科学院化学研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北一街2号
- Assignee: 中国科学院化学研究所
- Current Assignee: 中国科学院化学研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北一街2号
- Agency: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- Agent 吴爱琴
- Main IPC: C01B32/186
- IPC: C01B32/186
Abstract:
本发明公开了一种制备石墨烯纳米带阵列的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，在没有模板和刻蚀剂的引导下，通过控制氢气流量在多种液态金属衬底上直接生长石墨烯纳米带阵列。通过改变氢气的流量来控制石墨烯的梳状刻蚀密度，从而达到对石墨烯纳米带阵列的宽度和长度的可控效果。本发明公开的方法，与传统的方法相比，大大降低了制备过程的繁琐与成本，而且提高了对所制备石墨烯纳米带阵列边缘结构与宽度的可控性。
Public/Granted literature
- CN111620325A 一种制备石墨烯纳米带阵列的方法 Public/Granted day:2020-09-04
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