- 专利标题: 一种基于跨接抑制突波性能的X2抗电磁干扰滤波电容器
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申请号: CN202010520530.4申请日: 2020-06-10
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公开(公告)号: CN111627700B公开(公告)日: 2021-07-20
- 发明人: 陈更生 , 罗学民 , 刘宇 , 金建国
- 申请人: 长兴友畅电子有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市长兴县访贤村
- 专利权人: 长兴友畅电子有限公司
- 当前专利权人: 长兴友畅电子有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市长兴县访贤村
- 代理机构: 北京华际知识产权代理有限公司
- 代理商 黄永兰
- 主分类号: H01G4/224
- IPC分类号: H01G4/224 ; H01G4/236 ; H01G4/002 ; H01G2/08
摘要:
本发明公开了一种基于跨接抑制突波性能的X2抗电磁干扰滤波电容器,属于X电容器领域,其技术方案要点包括壳体、电芯座、电芯体和壳盖,所述电芯体位于电芯座的内部并通过电芯座设置于壳体的内部,所述壳盖卡接在壳体的开口处;所述电芯座包括底板、两个竖板和阻隔板,两个所述竖板对称设置在底板的两侧,且底板的两端凸出于竖板,所述阻隔板可滑动的设置在两个所述竖板之间,且底板、两个所述竖板和阻隔板之间形成电芯容纳腔,所述电芯体设置在容纳腔的内部,本发明便于电容器的电芯组件的修理,同时具有散热效果,降低电容器使用过程中过热现象发生的可能。
公开/授权文献
- CN111627700A 一种基于跨接抑制突波性能的X2抗电磁干扰滤波电容器 公开/授权日:2020-09-04