- 专利标题: 一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法
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申请号: CN202010470174.X申请日: 2020-05-28
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公开(公告)号: CN111647829B公开(公告)日: 2022-02-22
- 发明人: 付翀 , 王金龙 , 侯锦丽 , 闫贞 , 常延丽 , 姜凤阳 , 王俊勃
- 申请人: 西安工程大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区金花南路19号
- 专利权人: 西安工程大学
- 当前专利权人: 合肥净龙环保科技有限公司
- 当前专利权人地址: 230000 安徽省合肥市蜀山区甘泉路81号沃野花园商办楼B-1017
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 韩玙
- 主分类号: C22C49/02
- IPC分类号: C22C49/02 ; C22C49/14 ; C22C47/14 ; C01G19/02 ; C30B29/16 ; C30B29/62 ; C30B7/14 ; H01H1/0237 ; H01H11/04 ; C22C101/02
摘要:
本发明公开了一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、制备氧化锡晶须;步骤2、制备氧化锡颗粒;步骤3、使用氧化锡晶须和颗粒制备晶须颗粒混杂增强银‑氧化锡复合粉体;步骤4、使用银‑氧化锡复合粉体制备晶须颗粒混杂增强银基电接触合金;本发明一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法能够控制氧化锡在银基体中的形态,提高第二相氧化锡在银基体中的分散性,使得合金内部第二相氧化物分布均匀;并且由于氧化锡晶须在银氧化锡电接触材料中的骨架束缚作用,能够在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性,以提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。
公开/授权文献
- CN111647829A 一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法 公开/授权日:2020-09-11