本发明公开了一种对称DBR结构的面发射半导体激光芯片及其制备方法，芯片是从衬底层底发射激光的面发射两维阵列光源芯片，其由下往上依次包括衬底层、分布式布拉格部分反射镜、有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层；有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层在水平面上间隔布设，有源层、氧化光学限制层、分布式布拉格全反射镜和欧姆接触层的侧面以及外露的分布式布拉格部分反射镜的顶部设有钝化层，欧姆接触层的顶部以及钝化层的顶部和外侧设有连续的第一电极；衬底层的出光侧相对应氧化光学限制层的氧化孔位置设有凹槽结构，衬底层除凹槽结构的其他位置设有第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。