Invention Grant
- Patent Title: 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备
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Application No.: CN202010828541.9Application Date: 2020-08-18
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Publication No.: CN111705302BPublication Date: 2020-11-10
- Inventor: 解文骏 , 睢智峰 , 宋维聪
- Applicant: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室
- Assignee: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- Current Assignee: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19501-19503室
- Agency: 上海光华专利事务所
- Agent 余明伟
- Main IPC: C23C14/50
- IPC: C23C14/50 ; C23C16/458
Abstract:
本发明提供一种可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备,包括腔体、载台、载台支撑杆、连接板、气缸、气缸底座、底座固定杆、升降滚动滑轮、联动轴、支撑杆托盘及升降基座;载台支撑杆一端与载台的底部相连接,另一端延伸到支撑杆托盘上;连接板与腔体的底部相连接;气缸位于气缸底座上;底座固定杆一端与气缸底座相连接,另一端与连接板相连接;支撑杆托盘位于升降基座内,且与升降基座相连接,升降基座的一侧开设有运动开口;联动轴一端与气缸相连接,另一端与升降滚动滑轮相连接;升降滚动滑轮经由运动开口自升降基座的外部延伸至升降基座的内部,且升降滚动滑轮的凹槽与运动开口的边缘相对应。本发明可以避免因升降过程中的晃动造成晶圆损伤。
Public/Granted literature
- CN111705302A 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备 Public/Granted day:2020-09-25
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IPC分类: