- 专利标题: 一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法
-
申请号: CN202010670882.8申请日: 2020-07-13
-
公开(公告)号: CN111755578B公开(公告)日: 2021-11-02
- 发明人: 李瑞评 , 曾柏翔 , 张佳浩 , 陈铭欣 , 李政鸿
- 申请人: 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 代理机构: 北京汉之知识产权代理事务所
- 代理商 高园园
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/10
摘要:
本发明提供一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法。本发明的方法中,沿多条扫描线对衬底进行激光扫描,在衬底内部形成多个改性点,该改性点可以是气泡或空洞;然后对衬底进行退火处理。激光辐照产生的气泡或空洞能够增加对光的反射,由此提高衬底的反射率;退火工艺消除或者降低了空洞或气泡周围由于激光辐照产生的热损伤层和微裂纹等缺陷,由此消除或者降低了这些缺陷对光的吸收,降低了衬底对光的吸收。在上述提高衬底的反射率降低衬底对光的吸收两方面的综合作用下,显著提高LED芯片的出光率,提高LED芯片的亮度。本发明的用于半导体器件的衬底以及发光二极管均可采用上述方法对衬底进行处理,因此同样具有上述有益效果。
公开/授权文献
- CN111755578A 一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法 公开/授权日:2020-10-09
IPC分类: