- 专利标题： 异位法高温超导薄膜及其涂层导体柱状缺陷的引入方法
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申请号： CN202010770668.X申请日： 2020-08-04
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公开(公告)号： CN111825444A公开(公告)日： 2020-10-27
- 发明人: 蔡传兵 , 黄荣铁 , 陈静 , 刘志勇 , 豆文芝 , 王涛 , 白传易
- 申请人： 上海上创超导科技有限公司 , 上海大学
- 申请人地址： 上海市奉贤区望园路2066弄4号楼
- 专利权人： 上海上创超导科技有限公司,上海大学
- 当前专利权人： 上海上创超导科技有限公司,上海大学
- 当前专利权人地址： 上海市奉贤区望园路2066弄4号楼
- 代理机构： 上海浦东良风专利代理有限责任公司
- 代理商 张劲风
- 主分类号： C04B35/45
- IPC分类号： C04B35/45 ; C04B35/622 ; B23K26/382
摘要：
本发明涉及一种异位法高温超导薄膜及其涂层导体柱状缺陷的引入方法，主要解决激光辐照用于制造柱状缺陷需要能量量级很高的技术问题。本发明开创性地提供了一种在YBCO超导薄膜带材成相中间过程，通过飞秒激光辐照引入柱状缺陷的方法。即在制备过程中进行中间产品表面的垂直方向的各类辐照，产生择优取向的缺陷，进而在最终产品中引入柱状缺陷。提高YBCO超导带材实际应用。
公开/授权文献
- CN111825444B 在异位法高温超导薄膜中引入柱状缺陷的方法 公开/授权日：2022-08-19
IPC分类:
