全无机钙钛矿纳米线自供能-短波光电探测器及制备方法
摘要:
本发明公开了一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器及制备方法,依次在处理好的FTO导电玻璃衬底上旋涂TiO2溶胶前驱体,得到致密的TiO2电子传输层;然后利用溶液法生长微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线,并制备光电探测器。器件结构自上而下包括玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极。本发明基于CsPbIxCl3‑x纳米线碳基钙钛矿光电探测器同时具有高灵敏度,快速响应和良好的稳定性,在300~520nm范围内具皮秒级的暗电流和0.2A/W的优异光电探测度。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
H01L31/115 ...对很短波长,如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件
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