发明公开
- 专利标题： 一种钼基结构件的电弧增材制造方法
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申请号： CN202010742395.8申请日： 2020-07-29
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公开(公告)号： CN111843110A公开(公告)日： 2020-10-30
- 发明人: 刘长猛 , 乔一桉 , 崔一南 , 王嘉琛 , 方岱宁
- 申请人： 北京理工大学 , 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学
- 专利权人： 北京理工大学,清华大学
- 当前专利权人： 北京理工大学,清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理商 马小星
- 主分类号： B23K9/04
- IPC分类号： B23K9/04 ; B23K9/23
摘要：
本发明提供了一种钼基结构件的电弧增材制造方法，属于钼基结构件的制备技术领域。本发明提供的制造方法包括如下步骤：构建目标结构件的三维实体模型，然后经切片处理，生成加工程序，并导入控制系统；以钼基丝材为原料，采用重熔法按照所述加工程序在基板上进行电弧增材制造，得到钼基结构件；所述重熔法为逐点重熔、逐层重熔或逐段重熔。本发明提供的方法通过重熔法，可将熔池内的气体溢出，减少了气孔缺陷，能够得到致密度较高的高质量钼基结构件。
公开/授权文献
- CN111843110B 一种钼基结构件的电弧增材制造方法 公开/授权日：2022-02-01
IPC分类:
