一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构上的绝缘盖帽层以及位于栅极结构之间衬底上的源漏连接层，源漏连接层的顶面低于绝缘盖帽层的顶面；在绝缘盖帽层上形成刻蚀停止层；在源漏连接层上形成源漏介电层；采用第一刻蚀工艺去除源漏连接层上的源漏介电层，形成第一开口；在第一刻蚀工艺中，绝缘盖帽层的被刻蚀速率小于源漏介电层的被刻蚀速率，且刻蚀停止层的被刻蚀速率小于绝缘盖帽层的被刻蚀速率；在第一开口中形成源漏接触孔插塞。形成第一开口的过程中，刻蚀停止层不容易被刻蚀去除，降低了源漏接触孔插塞与栅极结构发生桥接的概率，优化了半导体结构的电学性能。