- 专利标题： 具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关
-
申请号： CN202010330383.4申请日： 2020-04-24
-
公开(公告)号： CN111865283A公开(公告)日： 2020-10-30
- 发明人: Y·阿特赛尔 , A·塞利克
- 申请人： 亚德诺半导体国际无限责任公司
- 申请人地址： 爱尔兰利默里克
- 专利权人： 亚德诺半导体国际无限责任公司
- 当前专利权人： 亚德诺半导体国际无限责任公司
- 当前专利权人地址： 爱尔兰利默里克
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘倜
- 优先权： 62/838,549 2019.04.25 US
- 主分类号： H03K17/687
- IPC分类号： H03K17/687 ; H03K17/689 ; H03K17/691
摘要：
提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中，RF开关包括多个晶体管，并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时，所有晶体管均配置为导通状态；当RF开关以低功率模式操作时，所有晶体管均配置为截止状态。
公开/授权文献
- CN111865283B 具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关 公开/授权日：2024-05-28