发明授权
- 专利标题： SiC膜构造体
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申请号： CN201980001810.X申请日： 2019-08-28
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公开(公告)号： CN111868884B公开(公告)日： 2024-05-10
- 发明人: 川本聪
- 申请人： 艾德麦普株式会社
- 申请人地址： 日本冈山县
- 专利权人： 艾德麦普株式会社
- 当前专利权人： 艾德麦普株式会社
- 当前专利权人地址： 日本冈山县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 曲天佐
- 国际申请： PCT/JP2019/033684 2019.08.28
- 国际公布： WO2020/174725 JA 2020.09.03
- 进入国家日期： 2019-09-27
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; C04B35/569 ; C23C14/06 ; C23C14/58 ; C23C16/01 ; C23C16/42 ; H01L21/683
摘要：
提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。
公开/授权文献
- CN111868884A SiC膜构造体 公开/授权日：2020-10-30
IPC分类:
