本发明公开了一种嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法：在半导体衬底上淀积衬垫氧化层和氮化硅层；使氮化硅层图案化；对暴露出的衬垫氧化层进行刻蚀；生长一层ONO层；淀积第一多晶硅层并进行CMP工艺及刻蚀；第一氧化层生长及刻蚀；第一多晶硅层进行二次刻蚀；对ONO层进行刻蚀；第二氧化层生长；淀积第二多晶硅层并对第二多晶硅层进行CMP工艺；移除氮化硅层及衬垫氧化层；第三氧化层及第三多晶硅层的生长及刻蚀。本发明通过调整光刻定义的范围，将光刻定义的范围扩展至一次打开一个选择管加两个存储管的整体宽度，单个存储管的宽度由氧化层的淀积厚度来自对准定义，可以在光刻能力有限的情况下，实现更小尺寸的嵌入式镜像位SONOS存储器的制造。