- 专利标题: 一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法
-
申请号: CN202010675643.1申请日: 2020-07-14
-
公开(公告)号: CN111908418B公开(公告)日: 2024-05-14
- 发明人: 张乐民 , 刘福民 , 杨静 , 张树伟 , 刘宇 , 梁德春 , 崔尉 , 吴浩越
- 申请人: 北京航天控制仪器研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北京142信箱403分箱
- 专利权人: 北京航天控制仪器研究所
- 当前专利权人: 北京航天控制仪器研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北京142信箱403分箱
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 张欢
- 主分类号: B81B3/00
- IPC分类号: B81B3/00 ; B81C1/00 ; B81C3/00
摘要:
本发明涉及一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法,通过衬底层和结构层晶圆键合与刻蚀技术,形成由固定锚区支撑的可动质量块结构。首先在衬底层或结构层晶圆上经光刻、刻蚀形成锚区,通过晶圆键合的方式形成键合片,减薄键合片至所需厚度,刻蚀形成可动质量块结构。为满足大质量块MEMS结构厚度高均匀性加工要求,在质量块底部设计减薄支撑锚区,晶圆键合后该锚区对质量块起到支撑作用。刻蚀时将对应位置处结构层去除,释放质量块。与传统的MEMS可动质量块结构加工方式相比,该结构在质量块底部设计有支撑锚区,避免了在减薄过程中,由于晶圆内外气压差和所施加的压力造成悬空的可动质量块处减薄厚度不均匀的问题。
公开/授权文献
- CN111908418A 一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法 公开/授权日:2020-11-10