- 专利标题: 一种铜掺杂合金量子点及其制备方法、量子点光电器件
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申请号: CN201910374768.8申请日: 2019-05-07
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公开(公告)号: CN111909698B公开(公告)日: 2023-02-10
- 发明人: 周健海 , 余世荣 , 朱晓艳
- 申请人: 纳晶科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
- 专利权人: 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人: 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
- 代理机构: 广州市越秀区哲力专利商标事务所
- 代理商 胡拥军; 糜婧
- 主分类号: C09K11/88
- IPC分类号: C09K11/88 ; C09K11/02 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种铜掺杂合金量子点及其制备方法、量子点光电器件。铜掺杂合金量子点的制备方法,包括以下步骤:A,由锌前体与Ⅵ族元素前体在一反应容器中反应制得Ⅱ‑Ⅵ族纳米团簇;B,在上述Ⅱ‑Ⅵ族纳米团簇制得之后,向上述反应容器中加入镉前体继续进行反应,制得Ⅱ‑Ⅱ‑Ⅵ族合金量子点;C,在上述步骤A完成之前或者上述步骤A与上述步骤B之间或者上述步骤B之后,于上述反应容器中加入铜‑配体,上述铜‑配体包括铜的无机盐以及软碱型配体,使得铜元素掺杂在上述Ⅱ‑Ⅵ族合金量子点中。本发明制得组分均一、尺寸形貌均一、半峰宽窄、荧光量子产率高的铜掺杂合金量子点,其荧光量子产率高、荧光半峰宽窄,实现量子点发光。
公开/授权文献
- CN111909698A 一种铜掺杂合金量子点及其制备方法、量子点光电器件 公开/授权日:2020-11-10