发明授权
- 专利标题： 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用
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申请号： CN202010817664.2申请日： 2020-08-14
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公开(公告)号： CN111925804B公开(公告)日： 2021-09-28
- 发明人: 王溯 , 蒋闯 , 季峥 , 郭杰
- 申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 申请人地址： 上海市松江区思贤路3600号
- 专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 当前专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市松江区思贤路3600号
- 代理机构： 上海弼兴律师事务所
- 代理商 王卫彬; 陈卓
- 主分类号： C09K13/06
- IPC分类号： C09K13/06 ; H01L21/311
摘要：
本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本发明具体公开了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：0.20‑12.00份的如式A所示的化合物、74.00‑86.00份的磷酸和13.00‑15.00份的水。本发明的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
公开/授权文献
- CN111925804A 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 公开/授权日：2020-11-13
