Invention Grant
- Patent Title: 三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法
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Application No.: CN202010655153.5Application Date: 2018-03-01
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Publication No.: CN111933576BPublication Date: 2021-04-23
- Inventor: 吕震宇 , 施文广 , 吴关平 , 潘锋 , 万先进 , 陈保友
- Applicant: 长江存储科技有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Agency: 北京永新同创知识产权代理有限公司
- Agent 刘健; 张殿慧
- Priority: 2017101347821 20170308 CN 2017101347836 20170308 CN
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768
Abstract:
本发明提出了一种3D存储器设备的接合开口结构和其制造方法。此接合开口结构包括穿过第一堆叠层与第一绝缘连接层的第一通孔、位于该第一通孔的底部的第一沟道结构、位于该第一通孔的侧壁上的第一功能层、位于该第一功能层的侧壁上的第二沟道结构、在该第一通孔上方的第三沟道结构、位于该第三沟道结构上的第二堆叠层、位于该第二堆叠层上的第二绝缘连接层、穿过该第二堆叠层与该第二绝缘连接层的第二通孔、设置在该第二通孔的侧壁上的第二功能层、位于该第二功能层的侧壁上的第四沟道结构、以及在该第二通孔上的第五沟道结构。
Public/Granted literature
- CN111933576A 三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法 Public/Granted day:2020-11-13
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