Invention Grant
- Patent Title: 一种衰减器电路及射频前端架构
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Application No.: CN202010812973.0Application Date: 2020-08-13
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Publication No.: CN111953311BPublication Date: 2021-07-06
- Inventor: 宋楠 , 倪建兴 , 胡自洁 , 倪楠 , 曹原 , 奉靖皓
- Applicant: 锐石创芯(深圳)科技有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市福田区园岭街道华林社区八卦六街23号八卦岭工业区541栋508
- Assignee: 锐石创芯(深圳)科技有限公司
- Current Assignee: 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市福田区园岭街道华林社区八卦六街23号八卦岭工业区541栋508
- Agency: 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司
- Agent 杨雪琴
- Main IPC: H03H7/24
- IPC: H03H7/24
Abstract:
本发明提供了一种衰减器电路,包括:输入节点;输出节点;第一公共衰减模块,所述第一公共衰减模块被配置为对信号进行衰减,所述第一公共衰减模块的第一端连接所述输入节点或者所述输出节点,所述第一公共衰减模块的第二端与选通衰减模块连接;选通衰减模块,包括可供选择的旁路支路和至少一个衰减支路,所述选通衰减模块与所述第一公共衰减模块串联连接本发明有效地减少了衰减器电路的寄生电容,解决了现有技术由于寄生电容过大而导致衰减性能欠佳的问题。
Public/Granted literature
- CN111953311A 一种衰减器电路及射频前端架构 Public/Granted day:2020-11-17
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